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刻蚀微纳加工

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ICP等离子刻蚀(研制)

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产品概述:

反应离子刻蚀机主要用于介质薄膜干法刻蚀,包括SiO2、Si3N4、SiON、SiC等。

详细信息

1.气体种类:O2、CF4、CHF3、SF6、BCl3

2.基片尺寸:zui大支持8英寸,并向下兼容6、5、4、3、2英寸等以及破片

3.射频电源     ICP电源:13.56MHz,1400W; 偏压电源:13.56MHz,800W

4.工艺温度:10℃到80℃可控

5.传送模式:自动Loadlock传送系统